產(chǎn)品中心
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產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
1200℃三溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是:將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室,在基片(如硅片)表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并生成固態(tài)薄膜沉積下來。
1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD氣相沉積由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控溫儀表進(jìn)行PID控溫,可編輯30段升降溫程序,同時(shí)有過熱和斷偶保護(hù)功能。1500℃單溫區(qū)高真空CVD系統(tǒng)爐管兩側(cè)法蘭配有數(shù)字式真空計(jì)和機(jī)械式壓力表,可以用來控制爐管內(nèi)的氣氛環(huán)境。
全自動(dòng)CVD滑軌爐氣相沉積系統(tǒng)由雙溫區(qū)滑軌爐、質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)三部分組成。雙溫區(qū)滑軌爐可移動(dòng)并可實(shí)現(xiàn)快速升降溫;四路質(zhì)子流量計(jì)能夠準(zhǔn)確控制系統(tǒng)的供氣;全自動(dòng)CVD滑軌爐真空泵可實(shí)現(xiàn)對(duì)管式爐快速抽真空。
1200℃三溫區(qū)三通道混氣CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是:將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室,在基片(如硅片)表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并生成固態(tài)薄膜沉積下來。
1200℃三溫區(qū)旋轉(zhuǎn)CVD氣相沉積系統(tǒng)安裝有投料器和收料罐。1200℃三溫區(qū)旋轉(zhuǎn)自動(dòng)進(jìn)出料CVD系統(tǒng)投料器可以以額定速率將粉料送入爐管,可實(shí)現(xiàn)在氣氛保護(hù)的環(huán)境下連續(xù)對(duì)粉末材料用CVD方法進(jìn)行包裹和修飾。收料罐可以在氣氛保護(hù)環(huán)境下對(duì)處理好的料粉進(jìn)行收集。
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