鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款12寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制精準(zhǔn)，溫度重復(fù)性高，客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及科研團隊，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇.  

鹵素?zé)鬜TP退火爐技術(shù)特色：

• 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補償  

• 紅外鹵素管燈加熱  

• 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性  

• 快速數(shù)字PID溫度控制  

• 不銹鋼冷壁真空腔室  

• 系統(tǒng)穩(wěn)定性好  

• 結(jié)構(gòu)緊湊，小型桌面系統(tǒng)  

• 帶觸摸屏的PC控制  

• 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr  

• *高3路氣體（MFC控制）  

• 沒有交叉污染，沒有金屬污染  

真實基底溫度測量技術(shù)介紹:  

如上圖，由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進行測量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測量的不是基片真實的溫度，必須進行溫度補償。  

 RTP退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫，如上圖，接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會進行熱量傳遞，并很快達(dá)到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度，從而實現(xiàn)基片溫度的真實測量。  

技術(shù)參數(shù)：  

基片類型:  

• Silicon wafers硅片

• Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片

• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片

• Silicon carbide wafers碳化硅基片

• Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

• Glass substrates玻璃基片

• Metals金屬

• Polymers聚合物

• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座

RTP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：

離子注入/接觸退火，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)，可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介電材料，晶體化，致密化，太陽能電池片鍵合等