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產(chǎn)品型號(hào)：CY-RTP1000-Φ200-300-V-T廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-11-16訪 問(wèn) 量：332詳細(xì)介紹
| 品牌 | CYKY | 價(jià)格區(qū)間 | 2萬(wàn)-5萬(wàn) |
|---|---|---|---|
| 儀器種類(lèi) | 管式爐 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,道路/軌道/船舶,鋼鐵/金屬,航空航天,汽車(chē)及零部件 |
鹵素?zé)鬜TP立式快速退火爐是一款8寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國(guó)際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì)，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。
RTP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來(lái)把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對(duì)氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過(guò)降低氧化反應(yīng)的溫度來(lái)降低氧化速率即會(huì)帶來(lái)另一個(gè)問(wèn)題，生長(zhǎng)溫度的降低會(huì)導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來(lái)稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP退火爐產(chǎn)品特點(diǎn)：
1. 結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省空間；
2. 快速升降溫；
3. 精準(zhǔn)溫控與均勻性；
4.氣氛控制靈活；
產(chǎn)品名稱(chēng) | 鹵素?zé)鬜TP快速退火爐 |
產(chǎn)品型號(hào) | CY-RTP1000-Φ200-300-V-T |
基片尺寸 | 8英寸 |
基片基座 | 石英針（可選配SiC涂層石墨基座） |
溫度范圍 | 150-1250℃ |
加熱速率 | 10-150℃/S |
溫度均勻性 | ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
溫度控制精度 | ≤ ±3℃ |
溫度重復(fù)性 | ≤ ±3℃ |
真空度 | 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
氣路供應(yīng) | 標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路） |
退火持續(xù)時(shí)間 | ≥35min@1250℃ |
溫度控制 | 快速數(shù)字PID控制 |
尺寸 | 900mm*650mm*1600mm |
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