半導體PECVD設備氣相沉積系統(tǒng)適用于在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

產(chǎn)品型號：CY-PECVD-450T-SS
廠商性質：生產(chǎn)廠家
更新時間：2025-11-17
訪問量：392

產(chǎn)品咨詢聯(lián)系我們

產(chǎn)品分類CLASSIFICATION

相關文章ARTICLES

查看全部

詳細介紹

品牌	CYKY

半導體PECVD設備氣相沉積系統(tǒng)采用等離子體增強型化學氣相沉積技術，能夠利用高能量等離子體促進反應過程，有效提升反應速度，降低反應溫度。適用于在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

PECVD應用領域

1.微電子與半導體工業(yè)，介質薄膜　低k介質　多晶硅/非晶硅薄膜

2.光伏（太陽能電池）工業(yè)，氮化硅減反射鈍化膜　非晶硅/微晶硅薄膜太陽能電池

3.顯示技術（LCD/OLED），薄膜晶體管（TFT）陣列制造

4.光學領域，光學薄膜

PECVD優(yōu)點:
1.沉積溫度低

2. 薄膜質量高

3. 良好的臺階覆蓋性和溝槽填充能力

4. 沉積速率較快

5. 廣泛的材料體系

半導體PECVD設備氣相沉積系統(tǒng)技術參數(shù)：

產(chǎn)品型號	CY-PECVD-450T-SS
真空腔體	前開門式，φ300mm X 300mm 不銹鋼材質觀察窗：φ100mm 帶擋板
真空泵組	前級泵：旋片泵抽速1.1L/s 次級泵：渦輪分子泵抽速600L/s
極限真空度	10-6Pa 三十分鐘內(nèi)可達到 10-4Pa
沉積真空	0.133~133Pa，可根據(jù)工藝調(diào)整
射頻電源	13.56MHz，500W，自動匹配
流量控制	質量流量計，默認 Ar氣 0~200sccm
整機尺寸	1100mm x 800mm x1100mm

產(chǎn)品咨詢

留言框

產(chǎn)品：
您的單位：
您的姓名：
聯(lián)系電話：
常用郵箱：
省份：
詳細地址：
補充說明：
驗證碼：

請輸入計算結果（填寫阿拉伯數(shù)字），如：三加四=7

上一篇：CY-PECVD-50R-1200-Q單溫區(qū)旋轉PECVD石墨烯制備系統(tǒng)
下一篇：CY-CVD1200-50-400-3TH-Q1200℃高真空CVD氣相沉積系統(tǒng)

国产欧美精品日韩精品视频专区,久久精品国产亚洲av日韩,自拍偷区亚洲综合激情,懂色一区二区三区在线播放,国产91精品久久久久久,国产精品经典三级一区,国产专区视频在线播放,亚洲中文字幕精品人妻,久久久久久久久久桃色

半導體PECVD設備氣相沉積系統(tǒng)技術參數(shù)：

留言框

產(chǎn)品：

您的單位：

您的姓名：

聯(lián)系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細地址：

補充說明：

驗證碼：